セッション詳細
[17p-K304-1~8]8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理
2025年3月17日(月) 13:30 〜 15:45
K304 (講義棟)
[17p-K304-1]TiNエッチバックにおけるエッチング深さばらつき低減法
〇益子 侑大1、岩瀬 拓1、佐竹 真1、園田 靖2、田中 基裕2、小藤 直行2、前田 賢治2 (1.日立製作所、2.日立ハイテク)
[17p-K304-2]BCl3パルスプラズマ処理によるメタルオキサイドレジストのラフネス低減手法
〇笠井 大雅1、松井 都1、庄子 美南1、猩々 智康1、三浦 真2、桑原 謙一2 (1.日立研開、2.日立ハイテク)
[17p-K304-3]反応性大気圧熱プラズマジェットによる熱処理したフォトレジストに対するエッチング特性とEBRプロセスへの適用
〇(M2)松本 響平1、Jiawen Yu1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大先進理工)
[17p-K304-4]H2プラズマを用いたITO高温加工プロセスの表面反応メカニズム考察
〇鈴木 涼平1、小玉 欣典1、松田 和久1、釘宮 克尚1、萩本 賢哉1、岩元 勇人1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ(株))
[17p-K304-5][第57回講演奨励賞受賞記念講演] F2/Ar /H2ガス系を用いた SiO2膜のクライオエッチングにおける反応メカニズム解明
〇加藤 有真1、片岡 淳司1、斎藤 僚2、飯野 大輝1、福水 裕之1、佐藤 哲也2、栗原 一彰1 (1.キオクシア株式会社、2.山梨大・工)
[17p-K304-6]斜入射イオンビーム照射によるエッチング生成物の角度分布測定
伊藤 智子1、〇唐橋 一浩1、浜口 智志1 (1.阪大院工)
[17p-K304-7]ラジカルの付着確率が高アスペクト比ホール内の輸送に与える影響
〇(M1)来島 拓海1、堤 隆嘉2、関根 誠2、井上 健一2、石川 健治2 (1.名大院工、2.名大プラズマ)
[17p-K304-8]酸素添加塩素プラズマによるGaN 選択エッチングの温度依存性
〇中村 昭平1,2、谷出 敦1,2、木村 貴弘1,2、トラン グエン トラン2、井上 健一2、石川 健治2 (1.SCREENホールディングス、2.名古屋大学)