講演情報
[17p-K304-4]H2プラズマを用いたITO高温加工プロセスの表面反応メカニズム考察
〇鈴木 涼平1、小玉 欣典1、松田 和久1、釘宮 克尚1、萩本 賢哉1、岩元 勇人1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）)
キーワード：
ドライエッチング、ITO、H2プラズマ
酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide：ITO）は、高い透明性と導電性を有しているためタッチパネルや太陽電池などに広く用いられている。しかし、ITOの主成分であるInはハロゲンとの反応生成物の沸点が高いため、ドライエッチングによる加工が難しいことが知られている。温度を上げることで反応生成物の揮発は容易に可能となり、水素ガス、炭化水素ガス、ハロゲンガスなどのエッチングガスの違いにより加工特性が異なるという報告はあるものの、それらのメカニズムや表面反応に着目した例は少ない。そこで今回は、H2プラズマを用いたITO高温加工の表面反応についてのメカニズム調査を行ったため報告する。