講演情報
[17p-K304-5][第57回講演奨励賞受賞記念講演] F2/Ar /H2ガス系を用いた SiO2膜のクライオエッチングにおける反応メカニズム解明
〇加藤 有真1、片岡 淳司1、斎藤 僚2、飯野 大輝1、福水 裕之1、佐藤 哲也2、栗原 一彰1 (1.キオクシア株式会社、2.山梨大・工)
キーワード：
クライオエッチング、シリコン酸化膜
室温から-150 ℃までの広範囲な低温領域においてF2/Ar/H2の混合ガスプラズマによるSiO2膜のクライオエッチングの挙動と反応メカニズムをIn-situ分析を用いて調査した。エッチレート(ER)が最も速いのは-100 ℃であり、-100 ℃までは表面に凝縮したH2Oの効果で、エッチャントとなるHFが表面に共吸着しERが増加する。-100 ℃以下では反応生成物であるSiFxが揮発しにくくなりERが低下する。講演では、さらに低温領域における実験結果についても報告する。