[17p-K304-1~8] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

15:00 〜 15:15

[17p-K304-6] 斜入射イオンビーム照射によるエッチング生成物の角度分布測定

伊藤 智子¹、〇唐橋 一浩¹、浜口 智志¹ (1.阪大院工)

キーワード：

エッチング、イオン

高アスペクトエッチングでは、側壁に入射するイオンによる脱離するエッチング生成物の再付着がエッチング形状に大きな影響を与えており、脱離するエッチング生成物の角度分布の理解が重要となってきている。本研究では、斜入射イオンビーム照射実験を行い、試料表面からの脱離生成物の角度分布を評価した