[17p-K304-1~8] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

15:30 〜 15:45

[17p-K304-8] 酸素添加塩素プラズマによるGaN 選択エッチングの温度依存性

〇中村 昭平^1,2、谷出 敦^1,2、木村 貴弘^1,2、トラン　グエン トラン²、井上 健一²、石川 健治² (1.SCREENホールディングス、2.名古屋大学)

キーワード：

選択的エッチング、窒化ガリウム、高温エッチング

P型ゲート構造のGaN-HEMT製造において、P型GaNをAlGaNに対して選択的にエッチングする技術が要求されている。先行研究の塩素/酸素プラズマによる選択エッチングが報告されているが、AlGaN表面へのダメージ形成が課題であった。本報告ではダメージ低減のための基板昇温下での塩素/酸素プラズマエッチングでは従来の室温での選択エッチングと異なる原理でエッチングの選択性が得られたことを説明する。