講演情報
[17p-K305-7]高位置ずれ耐性を有する化合物半導体・Si導波路素子貼り付け構造の初期検討
〇岡山 秀彰1、高橋 博之1、小野 英樹1、志村 大輔1、谷川 兼一1、鈴木 貴人1、古田 裕典1、西山 伸彦2 (1.沖電気、2.東京科学大)
キーワード：
異種材料集積、シリコン光導波路
光源の実現のためにSi光導波路素子への化合物半導体の接合技術が盛んに開発されている。貼り付け時の位置ずれに関して、従来はサブミクロンの精度が要求されていた。これに対して、90％以上の高率で、2~3 um以上の位置ずれ許容性を達成した初期検討結果を発表する。