[17p-K306-1~11] FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

16:30 〜 16:45

[17p-K306-11] 先端半導体バイナリニューラルネットワーク応用に向けたCo2MnSi/MgO/Co2MnSi強磁性トンネル接合の評価

〇丸亀 孝生¹、楠瀬 黎¹、植村 哲也¹ (1.北大院情報)

キーワード：

先端半導体、バイナリニューラルネット、強磁性トンネル接合

本研究では先端半導体への搭載も視野に入れて高信頼な2値メモリ素子の一つである強磁性トンネル接合（MTJ）に注目．今回，MTJを用いたバイナリニューラルネット（BNN）ハード化の有望性を明らかにすることを目的としてMTJを評価し，その回路方式を検討したので報告する．