講演情報
[17p-K308-6]中性子反射率法によるアモルファス二硫化ゲルマニウム膜への銀のフォトドーピングの解析
〇原 竜弥1、渋谷 猛久2、村上 佳久3、坂口 佳史4 (1.東海大工、2.東海大理系教育センター、3.筑波技術大、4.CROSS)
キーワード：
カルコゲナイド、中性子反射率法、フォトドーピング
フォトドーピングとは、非晶質カルコゲナイド薄膜と金属の二層膜にカルコゲナイドの吸収端近傍の光を照射すると金属が非晶質中へ異常拡散する現象のことである。本研究では中性子反射率法を用いて、作製条件が異なる試料における銀の拡散過程を調べることを目的とした。アニール無しの試料では、光照射2分後には二硫化ゲルマニウムよりSLDが小さい中間層が形成され、光照射7分後には表面の銀が完全に消失したことがわかった。