講演情報
[17p-K404-4]接触抵抗が高分子有機トランジスタの動作安定性評価に及ぼす影響
〇坂本 謙二1、安田 剛1、三成 剛生1、吉尾 正史1、桑原 純平2、竹内 正之1 (1.NIMS、2.筑波大数理物質)
キーワード：
有機電界効果トランジスタ、バイアスストレス効果、高分子有機半導体
有機電界効果トランジスタ（OFET）の高い動作安定性は、その高い移動度とともに応用上重要である。本研究では、移動度と閾値両方が変化する高分子OFETsの動作安定性の評価が接触抵抗の存在によって影響を受けることを見出したので報告する。この効果は短チャネル、高移動度のOFETsほど顕著になるため、そのようなOFETsの動作安定性を評価するとき注意が必要である。