講演情報
[17p-K501-1]CeRAM に向けたミスト CVD による炭素ドープした ハフニア／ジルコニア（HZO）薄膜の非極性スイッチング
〇(D)吾妻 正道1,2、池田 守1、宮本 翼1、西中 浩之1 (1.京都工繊大、2.シンメトリクス)
キーワード：
CeRAM（強相関電子ランダムアクセスメモリ）、炭素ドープ、ハフニア／ジルコニア（HZO）薄膜
二酸化ハフニウム薄膜や酸化ニッケル薄膜に炭素をドープすることでバンド構造が変化してバンドギャップが大きく減少し、電気的に金属-絶縁体の非極性スイッチング現象が可能となる。この現象を利用した抵抗変化メモリとして、強相関電子ランダムアクセスメモリ（CeRAM）が提案されている。本論では、大気圧下で成膜が可能なミストCVD法を用いて炭素をドープしたHZO薄膜を作成し、CeRAM素子の動作を確認したので報告する。