2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)6 薄膜・表面：6.3 酸化物エレクトロニクス

[17p-K501-1~9]6.3 酸化物エレクトロニクス

2025年3月17日(月) 13:00 〜 15:30
K501 (講義棟)
13:00 〜 13:15

[17p-K501-1]CeRAM に向けたミスト CVD による炭素ドープした ハフニア／ジルコニア（HZO）薄膜の非極性スイッチング

〇(D)吾妻 正道1,2、池田 守1、宮本 翼1、西中 浩之1 (1.京都工繊大、2.シンメトリクス)
13:15 〜 13:30奨励賞エントリー英語発表

[17p-K501-2]Study of HfxZr1-xO2/Si interface potential by terahertz emission spectroscopy

〇(M2)TIANKAI JIA1, Dongxun Yang2, Haining Li2, Manjakavahoaka Razanoelina1, Takahiro Teramoto3, Takeshi Kijima2, Hiroyasu Yamahara2, Munetoshi Seki2, Hitoshi Tabata2, Masayoshi Tonouchi4, Iwao Kawayama1 (1.Kyoto University, 2.The University of Tokyo, 3.The University of Kitakyushu, 4.Osaka University)
13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[17p-K501-3]有機EL駆動用TFTに向けた酸化物積層構造と低温熱処理を用いたZnO-TFTの高電流密度化

〇(B)高田 直希1、中田 賢祐1、弓削 凱晃1、藤元 章1、和田 英男1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、前元 利彦1 (1.大阪工大工)
13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[17p-K501-4]ジエチル亜鉛の特性を活かした積層 Fe 添加 ZnO 薄膜形成塗布剤の開発

〇野田 直輝1、境 健太郎2、原口 智宏2、前林 春城1、二子石 師1、青木 雅裕1 (1.東ソー・ファインケム、2.宮崎大)
14:15 〜 14:30

[17p-K501-5]半導体メモリ向けIGZO薄膜トランジスタの熱処理温度による特性変化と深さ分解HAXPESを用いた検証

〇宮澤 徹也1、越智 元隆1、後藤 裕史2、小林 正治3、保井 晃4、唐 佳藝4 (1.神戸製鋼所、2.コベルコ科研、3.東大、4.高輝度光科学研究センター)
14:30 〜 14:45

[17p-K501-6]アルカリ金属を吸着させた酸化チタン薄膜トランジスタの特性評価

〇宮澤 諒1、鈴木 晴登1、竹田 響綺1、廣瀬 文彦1 (1.山形大院理工)
14:45 〜 15:00

[17p-K501-7]Cu/CuO混合ターゲットを用いたDCスパッタによるCu2O膜のキャリア拡散長の改善

〇関口 晨雄1、畑川 健勝1、宮島 晋介1 (1.Science Tokyo)
15:00 〜 15:15英語発表

[17p-K501-8]Investigation on N-doped Cu2O Thin Films for High-Performance Cu2O/Ga2O3 p-n Junction Power Devices

〇Minseok Kim1, Daichi Miyagi1, Isao Tamai2, Yusuke Maeyama2, Yuki Oguchi1, Junjun Jia3, Yuzo Shigesato1 (1.Aoyama Gakuin Univ., 2.Shindengen Electric Manufacturing Co.,Ltd., 3.Waseda univ.)
15:15 〜 15:30

[17p-K501-9]低層化した強相関酸化物Ca3-xBixCo4O9およびBi2Sr2Co2Oyにおけるシート抵抗の測定と透明伝導体としての性能評価

〇(B)鈴木 崚太1、村中 伸1、吉田 章吾1、岡崎 竜二1 (1.東理大創域理工)
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