講演情報
[17p-K501-5]半導体メモリ向けIGZO薄膜トランジスタの熱処理温度による特性変化と深さ分解HAXPESを用いた検証
〇宮澤 徹也1、越智 元隆1、後藤 裕史2、小林 正治3、保井 晃4、唐 佳藝4 (1.神戸製鋼所、2.コベルコ科研、3.東大、4.高輝度光科学研究センター)
キーワード：
酸化物半導体、HAXPES、酸化ハフニウム
8nm膜厚のIGZO薄膜と10nm膜厚のHfOx薄膜からなるRAM向けTFTを作製し、熱処理後の特性変化を検証した。これらの変化をTFT材料の化学状態から検証するため、深さ分解HAXPESを用いた。深さ分解HAXPESは、光電子の検出角度が脱出深さと相関することを利用して、非破壊で深さ方向のHAXPES分析を行うことができる。TFTと同じ構造を持つ試料をこの手法で分析した結果、IGZOの酸素の化学状態とTFTの特性に相関が見られることなどがわかった。