講演情報
[17p-K503-12]時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡によるSiO2/SiC の温度制御局所DLTS 測定
〇山末 耕平1、長 康雄2 (1.東北大通研、2.東北大NICHe)
キーワード：
走査型非線形誘電率顕微鏡、SNDM、半導体
SiO2/SiCなどワイドバンドギャップ半導体の深いエネルギーを持つ界面欠陥評価のため，時間分解SNDMを用いた温度制御局所DLTS測定を実現した．同測定を熱酸化SiO2/SiCに適用し，298-423 Kの範囲で界面欠陥密度分布像を得た．界面欠陥からのキャリア放出にともなってみられる局所MOS容量の指数関数状減衰やその時定数の温度上昇に伴う減少を観測することに成功した．