講演情報
[17p-K505-9]非負値行列因子分解を活用したInGaN 量子井戸構造のマルチモーダル発光スペクトルイメージング解析 II
〇岩満 一功1、坂井 健太2、赤瀬 善太郎1、山口 敦史2、冨谷 茂隆1 (1.奈良先端大、2.金沢工大)
キーワード：
計測インフォマティクス、スペクトルイメージング、非負値行列因子分解
III族窒化物半導体は深紫外～赤色の広範囲な波長領域での発光デバイスの実現可能性を持つが、点欠陥・転位等の結晶欠陥による影響や、InGaN量子井戸ではIndium組成の増加に伴って非混和性が大きくなる等、様々な要因が考えられる。我々はInGaN単一量子井戸層でのIndium組成ゆらぎとキャリアの相関把握のために、異なる手法の発光スペクトルイメージングを計測し、解析した結果を報告する。