[17p-K507-1~6] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

14:00 〜 14:15

[17p-K507-4] ナノインプリントにおける残膜エッチングプロセスの改善

〇川田 博昭¹、山﨑 滉太¹、舩戸 魁¹、松山 哲也¹ (1.大阪公立大工)

キーワード：

ナノインプリント、残膜、反応性イオンエッチング

ナノインプリント法により作製された樹脂パターンでは底部に残膜が残る場合が多い。O2 RIEで残膜除去を行うとサイドエッチングによるパターン形状の劣化が起こる。特にピラーパターンでは形状劣化が顕著に起こる。このためCHF3/O2プラズマによるエッチングステップとCHF3プラズマによる側壁保護ステップを交互に繰り返すスイッチプロセスを開発した。これにより200nm径のポリスチレンピラーに対して形状変化のほほない残膜エッチングができた。