[17p-Y1311-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:00 〜 13:30

[17p-Y1311-1] [第46回解説論文賞受賞記念講演] EFGおよびHVPE成長β-Ga₂O₃結晶中の欠陥の構造評価

〇上田 修¹、嘉数 誠²、山口 博隆³ (1.明治大、2.佐賀大、3.産総研)

キーワード：

酸化ガリウム、転位、積層欠陥

酸化ガリウム（Ga₂O₃）の5つの結晶多形のうち、最安定なβ-Ga₂O₃は、4.5～4.9 eVの大きなバンドギャップ、高臨界電界、高電子速度といった特長を有し、次世代のパワーデバイスやRFデバイスなどの応用において重要な材料である。これらのデバイスの開発では、結晶欠陥がデバイスの特性や信頼性に大きな影響を与えるため、その学術的理解が必要である。本講演では、β-Ga₂O₃結晶中の転位、積層欠陥、双晶、およびナノボイドの構造評価結果について述べ、欠陥の形成機構およびデバイスへの影響についても議論する。