2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17p-Y1311-1~9]21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2025年3月17日(月) 13:00 〜 15:45
Y1311 (13号館)
河村 貴宏(三重大)
13:00 〜 13:30

[17p-Y1311-1][第46回解説論文賞受賞記念講演] EFGおよびHVPE成長β-Ga2O3結晶中の欠陥の構造評価

〇上田 修1、嘉数 誠2、山口 博隆3 (1.明治大、2.佐賀大、3.産総研)
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13:30 〜 13:45

[17p-Y1311-2]Hf系強誘電体/β-Ga2O3界面電子状態の評価

〇古川 勝裕1、市川 龍斗1、阿多 翔大1、吉村 武1、藤村 紀文1 (1.大阪公立大院工)
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13:45 〜 14:00

[17p-Y1311-3]RF窒素プラズマ照射によるβ - Ga2O3の窒素ドーピング

〇(B)阿多 翔大1、市川 龍斗1、古川 勝裕1、相馬 永1、吉村 武1、長田 貴弘2、山下 良之2、小畠 雅明3、福田 竜生3、藤村 紀文1 (1.大阪公立大工、2.物質・材料研究機構、3.原子力機構)
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14:00 〜 14:15

[17p-Y1311-4]β-Ga2O3単結晶中の線状ボイドの評価

〇(M1C)宮城 右京1、太子 敏則1、干川 圭吾1 (1.信大工)
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14:15 〜 14:30

[17p-Y1311-5]β-Ga2O3 における塩素系ドライエッチングによるキャリアプロファイル異常とエッチング量の相関

〇上村 崇史1、東脇 正高1,2 (1.情通機構、2.大阪公立大院工)
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14:45 〜 15:00

[17p-Y1311-6](011)面β-Ga2O3 上のHCl ガスエッチング特性

〇大島 孝仁1、大島 祐一1 (1.NIMS)
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15:00 〜 15:15注目講演

[17p-Y1311-7]結晶異方性ガスエッチングによる(100) β-Ga2O3 上のエアブリッジ作製

〇大島 孝仁1、大島 祐一1 (1.NIMS)
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15:15 〜 15:30

[17p-Y1311-8]炉内酸素分圧適正化による4インチVB法β-Ga2O3単結晶育成

〇笠井 凱貴1、小林 壮1、大宮 敏光1、太子 敏則1、干川 圭吾1 (1.信大工)
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15:30 〜 15:45

[17p-Y1311-9]高感度エミッション顕微鏡およびSEM観察による(001)面方位HVPEβ型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードのキラー欠陥の同定

〇江口 正徳1、大坪 優斗2、ニロイ サハ2、ラオ バダリ3、林 家弘3、佐々木 公平3、大石 敏之2、嘉数 誠2 (1.佐賀大シンクロトロン、2.佐賀大理工、3.ノベルクリスタル)
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