講演情報
[17p-Y1311-2]Hf系強誘電体/β-Ga2O3界面電子状態の評価
〇古川 勝裕1、市川 龍斗1、阿多 翔大1、吉村 武1、藤村 紀文1 (1.大阪公立大院工)
キーワード：
強誘電体、半導体、ワイドバンドギャップ
4.7–4.9 eVの大きなバンドギャップを有し、次世代パワー半導体として注目されるβ-Ga2O3と、極薄膜で強誘電性を示すHf系強誘電体を積層することによるMOS構造において、Hf系強誘電体の巨大な分極に起因するバンドベンディングによって、β-Ga2O3のディープアクセプタが活性化する可能性が考えられる。さらに脳型パワーデバイスへの応用も期待できる。今回は、強誘電体/β-Ga2O3界面の電子状態を分光学的そして電気的な測定を通して解析した結果を報告する。