[17p-Y1311-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:15 〜 14:30

[17p-Y1311-5] β-Ga₂O₃ における塩素系ドライエッチングによるキャリアプロファイル異常とエッチング量の相関

〇上村 崇史¹、東脇 正高^1,2 (1.情通機構、2.大阪公立大院工)

キーワード：

酸化ガリウム、欠陥、MOS キャパシタ

Si イオン注入した β-Ga₂O₃ (010) 基板表面に BCl₃ RIE 処理を行った後、MOS キャパシタを作製し、そのキャリア分布 (N_d-N_a) とBCl₃ RIE エッチング深さの相関を調べた。エッチング量が増加すると 最表層では、N_d-N_a が単純に増加し、150 nm 深さでは、一旦減少してから回復した。これらは表層付近の N_d-N_a 変化は Cl と Ga 空孔の結晶への侵入挙動に関連することを示唆している。