セッション詳細
[16p-P14-1~6]13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス
2025年3月16日(日) 16:00 〜 18:00
P14 (森戸記念体育館)
[16p-P14-1]Optimization of InAs/GaAs Stacked Submonolayer Nanostructures for Spin-optics
〇Ronel Intal Roca1, Itaru Kamiya1 (1.Toyota Tech. Inst.)
[16p-P14-2]MFRを用いたAgInS₂/ZnS量子ドットの流入速度依存性
〇森田 希望1、岡本 彬仁2、山本 伸一1 (1.龍谷大先端理工、2.阪大院工)
[16p-P14-3]混合量子ドットの発光特性評価
〇末次 大輝1、森田 希望1、岡本 彬仁2、山本 伸一1 (1.龍谷大先端理工、2.阪大院工)
[16p-P14-4]面内超高密度量子ドットにおける強結合遷移モデル
〇甲斐 涼雅1、海津 利行2、宮下 直也1,2、山口 浩一1,2 (1.電通大基盤理工、2.電通大量子デバイスセンター)
[16p-P14-5]フェムト秒フォトンエコー生成効率向上に向けた共振器付InAs量子ドット集合体サンプルの最適化
〇河内 優太1,2、高橋 雄士朗1,2、赤羽 浩一3、早瀬 潤子1,2 (1.慶大理工、2.慶大CSRN、3.情通機構)
[16p-P14-6]n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs２重ヘテロ接合のショットキーゲート電圧よる光応答制御
〇川津 琢也1 (1.物材機構)