[J224p] マイクロ・ナノ機械デバイスとその信頼性

[J224p-01] GaAs単結晶の塑性特性に及ぼす余剰電子/ホールと電場の重畳効果

〇猪山 聖悟¹、松永 航¹、平方 寛之¹ (1. 京都大学大学院工学研究科機械理工学専攻)

キーワード：

電子ビーム照射、余剰電子/ホール、塑性変形、電場印加、半導体（GaAs）