[H937-2vn] 02. 理論化学・情報化学・計算化学

16:05 〜 16:15日本語

[H937-2vn-02] 量子化学計算によるSi(100)面及びSi(110)面上の結晶成長機構の解析

○石塚 茉奈¹、山口 勉功¹、国吉 ニルソン¹ (1. 早大院)

キーワード：

化学蒸着法,反応動力学,遷移状態理論