セッション詳細
[25p-12H-1~12]6.2 カーボン系薄膜
2024年3月25日(月) 13:30 〜 16:45
12H (1号館)
赤坂 大樹(東工大)、 鷹林 将(有明高専)
[25p-12H-1]リン添加層状窒化炭素膜の電子輸送
〇栗本 菜津子1、浦上 法之1,2、橋本 佳男1,2 (1.信州大工、2.信州大 先鋭材料研)
[25p-12H-2]窒素過剰層状窒化炭素膜の構造分析
〇佐々木 脩人1、浦上 法之1,2、橋本 佳男1,2 (1.信州大工、2.信州大 先鋭材料研)
[25p-12H-3]層状窒化炭素薄膜のエネルギーバンド構造の考察
〇羽渕 仁恵1、廣井 智喜1、笠島 愛莉1、ゴーシャン ワィ1 (1.岐阜高専)
[25p-12H-4]窒素ナノドーピングダイヤモンドライクカーボンの合成とその電気特性
〇野田 浩矢1、内藤 陽大1、山本 圭介2、鷹林 将1 (1.有明高専、2.九大院総理工)
[25p-12H-5]Quantitative of structural in DLC films I: A sp2 ratio compare between
SXES and NEXAFS techniques
〇(D)Thitikorn Chamchuang1, Sarayut Tunmee2, Praphaphon Silawong3, Keiji Komatsu1, Hidetoshi Saitoh1 (1.Nagaoka University of Technology, 2.Synchrotron Light Research Institute (Public Organization), 3.Rajamangala University of Technology Isan Khonkaen Campus (Thailand))
[25p-12H-6]Quantitative of structural in DLC films II: A hydrogen content measured by
RBS/ERDA technique
〇(D)Thitikorn Chamchuang1, Tsuneo Suzuki2, Keiji Komatsu1, Hidetoshi Saitoh1 (1.Nagaoka University of Technology, 2.Extreme Energy-Density Research Institute Nagaoka University of Technology)
[25p-12H-7][シリコン系半導体エレクトロニクス高専活性化奨励賞(名取研二高専活性化奨励賞)] 室温ナノインプリントによるDLCマイクロ・ナノパターン形成と半導体人材育成
〇清原 修二1,2、石川 一平1,2、坂東 隆宏3、針谷 達3、滝川 浩史3、倉島 優一4 (1.舞鶴高専、2.ナノテク教育センター、3.豊橋技科大、4.産総研)
[25p-12H-8]大電力パルスマグネトロンスパッタリングを用いたダイヤモンドライクカーボン成膜におけるパルス間隔の効果
〇太田 貴之1、國枝 滉1、松本 詩郎1、小田 昭紀2、上坂 裕之3 (1.名城大理工、2.千葉工大、3.岐阜大工)
[25p-12H-9]真空アーク蒸着を用いた水素フリーDLC膜形成におけるコイル陽極の巻き数依存性
〇渡辺 聖也1、鬼頭 純平1、佐野 絃貴1、大根田 みらの1、坂東 隆宏1、滝川 浩史1、杉田 博昭2、服部 貴大2、儀間 弘樹2 (1.豊橋技科大、2.オーエスジー(株))
[25p-12H-10]The evalution method for the Gas barrier properties of DLC films produced by Hydrogen Treatment under Ultra-High Pressure
Terumi Yasui1, 〇Thitikorn Chamchuang1, Yu Owada1, Keiji Komatsu1, Hidetoshi Saitoh1 (1.Nagaoka University of Technology)
[25p-12H-11]光吸収特性の異なるアモルファス炭素膜のレーザ接合
〇長谷 嘉琉1、原田 大1、青野 祐子1、平田 祐樹1、大竹 尚登1、赤坂 大樹1 (1.東工大)
[25p-12H-12]圧力負荷における高分子基板に成膜した非晶質炭素薄膜の導電性変化
〇高田 歩1、中川 颯太1、Sarayut Tunmee2、小畑 修二1、平栗 健二1、大越 康晴1 (1.東京電機大学、2.タイ王立シンクロトロン光研究所)