セッション詳細
[8a-P02-1]厚さ約23 µmの活性領域を有する片面金属プラズモン導波路型テラヘルツ量子カスケードレーザーの作製と光学評価
〇石田 峻之1、林 宗澤1,2、矢部 航輝1,3、津田 祐樹5、鈴木 洋介5、宮川 敬太5、秋山 浩一5、王 利1,4、藤川 紗千恵1,3、矢口 裕之3、平山 秀樹1 (1.理研、2.東北大、3.埼玉大、4.東方理工大、5.三菱電機)
[8a-P02-2]戻り光を持つ利得変調半導体レーザーを光源とするTHz時間領域分光法におけるランジュバンノイズの影響
〇楠 海侑1、高山 慧士1、和田 健司2、松山 哲也1、村井 俊介1、岡本 晃一1、桒島 史欣3 (1.阪公大工、2.阪公大研究推進、3.追大理工)
[8a-P02-3]共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器を用いたデュアルコム分光システムの検討
〇永吉 純大1、田淵 啓士郎1、伊藤 弘2、鈴木 左文3、有川 敬1 (1.兵庫県立大、2.東大、3.東京科学大)
[8a-P02-4]テラヘルツ波パラメトリック波長変換に向けたEr,Yb:glass MOPA
菅野 那雄1、小倉 涼也1、林 伸一郎2、大野 誠吾3、宮本 克彦4、浦田 佳治5、四方 潤一6、関根 徳彦2、〇縄田 耕二1 (1.東北工大、2.情報通信研究機構、3.東北大、4.千葉大、5.フラクシ(株)、6.日大)
[8a-P02-5]LiNbO3を用いたテラヘルツパラメトリック検出におけるZ面入射時の特性評価
〇田中 志貴1、嶺 颯太1,2、川瀬 晃道1、村手 宏輔1 (1.名大院工、2.理化学研究所)
[8a-P02-13](001)面方位半絶縁性GaAsにおけるコヒーレント縦光学フォノンの減衰時間: テラヘルツ時間領域分光とGaAsに対して透明なパルス光を用いたポンプ・プローブ分光法での違い
〇竹内 日出雄1,2,3、西村 拓也2 (1.阪公大・工、2.阪市大・工、3.上智大・理工)
[8a-P02-16]テラヘルツ時間領域コヒーレントラマン分光法による電解質イオンの水素結合ネットワークへの影響評価
〇粟田 涼介1、木村 碧志1、鯰田 嵩大2、長谷川 真也2、北原 英明2、古屋 岳2、谷 正彦2 (1.福井大工、2.福井大遠赤セ)