セッション詳細
[9a-P06-1~3]13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
2025年9月9日(火) 9:30 〜 11:30
P06 (体育館)
[9a-P06-1]石英のDeep RIEにおけるArガス添加によるエッチピットの抑制
〇吉田 一樹1、山田 直也1、矢作 徹1、加藤 睦人1 (1.山形工技セ)
[9a-P06-2]サブテラヘルツ帯BIC共振器における形状誤差の影響評価
〇近藤 裕佑1、柴田 一範2、村上 修一1 (1.大阪技術研、2.大阪大学)
[9a-P06-3]カーボン系材料を1％KOH水溶液に混合させた場合の単結晶Siのエッチング特性
〇木村 謙吾1、田中 浩1 (1.愛知工業大工)