[14p-K302-1~14] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術 | 2025年第72回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)10 スピントロニクス・マグネティクス：10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

[14p-K302-1~14]10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

2025年3月14日(金) 13:30 〜 17:15

K302 (講義棟)

13:30 〜 13:45英語発表

[14p-K302-1]High performance spin Hall sensing device using BiSb topological insulator

〇(D)MIN LIU¹, Ruixian Zhang¹, Quang Le², Brian York², Cherngye Hwang², Xiaoyong Liu², Michael Gribelyuk², Xiaoyu Xu², Son Le², Maki Maeda³, Tuo Fan³, Yu Tao³, Hisashi Takano³, Pham Nam Hai¹ (1.Institute of Science Tokyo, 2.W Digital Inc., G.O., 3.W Digital Inc., F.)

13:45 〜 14:00奨励賞エントリー英語発表

[14p-K302-2]Pulse width dependence on Spin-Orbit Torque switching in an antiferromagnet Mn₃Sn thin film

〇Shogo Yamada¹, Hanshen Tsai¹, Kouta Kondou³, Yutaro Tsushima¹, Tomoya Higo^1,2, Satoru Nakatsuji^1,2,4,5 (1.Univ. of Tokyo, 2.ISSP, Univ. of Tokyo, 3.SRN, Osaka Univ., 4.JHU Phys. and Astron., 5.TSQS, Univ. of Tokyo)

14:00 〜 14:15

[14p-K302-3]Anisotropic spin-orbit torque unleashed by Fermi surface symmetry reduction

〇杉本聡志¹、荒木康史²、家田淳一²、葛西伸哉¹ (1.物材機構、2.原子力機構)

14:15 〜 14:30奨励賞エントリー英語発表

[14p-K302-4]Micromagnetic simulation study on the stability of sub-nano second magnetization switching for the long-axis angle of 75° in SOT-MRAM

〇(D)Joonsoo Kim¹, Hiroshi Naganuma², Thi Van Anh Nguyen¹, Tetsuo Endoh¹ (1.Tohoku Univ., 2.Nagoya Univ.)

14:30 〜 14:45

[14p-K302-5]動的マグノニック結晶によるスピン波ギャップソリトンの特性評価

〇(M2)田中俊輔¹、岩田時弥¹、関口康爾² (1.横浜国大理工、2.横国大院工研)

14:45 〜 15:00

[14p-K302-6]垂直方向の磁気双極子結合を利用したマグノニック論理ゲート

〇(M2)松井拓磨¹、林龍之介¹、羽田拓真¹、関口康爾² (1.横浜国大理工、2.横浜国大院工)

15:15 〜 15:30英語発表

[14p-K302-7]First-principles study of disordered effects and composition dependence on transport properties in Co₂FeGa_0.5Ge_0.5-CuZn based CPP-GMR devices

〇(D)Kodchakorn SIMALAOTAO^1,2, Ivan Kurniawan², Yoshio Miura^2,3, Yuya Sakuraba^1,2 (1.Univ. of Tsukuba, 2.NIMS, 3.KIT)

15:30 〜 15:45英語発表

[14p-K302-8]First-Principles Prediction for the Role of Rashba Spin-Orbit Coupling in Voltage-Controlled Magnetocrystalline Anisotropy on Fe/MgO

〇(DC)Yosephine Novita Apriati¹, Masato Tsuchida¹, Kenji Nawa¹, Kohji Nakamura¹ (1.Mie Univ.)

15:45 〜 16:00英語発表

[14p-K302-9]Cryogenic temperature deposition of a high-quality CoFe top-free layer for voltage-controlled magnetoresistive random-access memory

〇Tomohiro Ichinose¹, Tatsuya Yamamoto¹, Takayuki Nozaki¹, Kay Yakushiji¹, Shingo Tamaru¹, Shinji Yuasa¹ (1.AIST)

16:00 〜 16:15英語発表

[14p-K302-10]Microscopic study of MTJ degradation toward High-density STT-MRAM: Impact of interface Oxygen Frenkel defects in MgO barrier

〇Rina Takashima¹, Takeo Koike¹, Shogo Itai¹, Hideyuki Sugiyama¹, Young Min Lee¹, Masaru Toko¹, Soichiro Ono¹, Daisuke Watanabe¹, Soichi Oikawa¹, Katsuhiko Koi¹, Hiroyuki Kanaya¹, Kohji Nakamura², Masahiko Nakayama¹ (1.Kioxia Corporation, 2.Mie Univ.)

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー英語発表

[14p-K302-11]Tunneling magnetoresistance and spin-orbit torque magnetization switching in ferrimagnetic Gd-Fe-Co based magnetic tunnel junction

〇(D)Masahiko Yunokizaki¹, Yuki Hibino², Hiroshi Idzuchi^1,3, Hanshen Tsai¹, Mio Ishibashi¹, Shinji Miwa^3,4, Masamistu Hayashi^1,4, Satoru Nakatsuji^1,3,4,5 (1.Dep. Phys., Univ. Tokyo, 2.AIST, 3.ISSP, Univ. Tokyo, 4.TSQS, Univ. Tokyo, 5.JHU)

16:30 〜 16:45奨励賞エントリー英語発表

[14p-K302-12]Size-Dependent Dynamic Properties of Stochastic Magnetic Tunnel Junction with a Synthetic Antiferromagnetic Free Layer

〇(M1)Takuma Kinoshita¹, Ju-Young Yoon¹, Nuno Cacoilo¹, Haruna Kaneko¹, Shun Kanai¹, Hideo Ohno¹, Shunsuke Fukami¹ (1.Tohoku Univ.)

16:45 〜 17:00奨励賞エントリー英語発表

[14p-K302-13]Determination of coupling states of a spin-torque oscillator in an HDD head using injection locking

〇Yuji Nakagawa¹, Hirofumi Suto², Yuya Sakuraba², Tomoyuki Maeda¹ (1.Toshiba, 2.NIMS)

17:00 〜 17:15奨励賞エントリー英語発表

[14p-K302-14]High-sensitivity and hysteresis-free tunnel magnetoresistance sensor with magnetic vortex structure

〇(M2)Seiya Takano¹, Takafumi Nakano¹, Mikihiko Oogane^1,2 (1.Graduate School of Engineering, Tohoku Univ., 2.CSIS, Tohoku Univ.)

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