セッション詳細

[16a-K202-1~6]原子層プロセス(ALP:Atomic Layer Process)の解析技術と応用技術

2025年3月16日(日) 9:30 〜 12:00
K202 (講義棟)

[16a-K202-1]絶縁膜成膜プロセスにおける大規模パターンでの
カバレッジおよび膜質分布の予測と制御

〇久保井 信行1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

[16a-K202-2]Mo(CO)6を用いたMo-ALDプロセスの低抵抗化と反応機構解析

〇(M2)小原 聡顕1、山口 潤1、佐藤 登1、筑根 敦弘1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工)

[16a-K202-3]ULSI-Cu配線バリア層用ZrNのALD製膜プロセス開発

〇(M2)田中 潤1、山口 潤1、佐藤 登1、筑根 敦弘1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工)

[16a-K202-4]Rudense®材料の酸化物表面上の室温飽和吸着・酸化特性

〇洲崎 慧1、鈴木 晴登2、宮澤 諒2、山本 有紀3、尾池 浩幸3、海老原 良介3、池村 周也3、後藤 玄3、岩永 宏平3、廣瀬 文彦2 (1.山形大工、2.山形大院理工、3.東ソー)

[16a-K202-5]Atomic Layer Process (ALP) for Metal Oxide Thin Films: Enhancing Selectivity and Inhibitors’ Role

Hae Lin Yang1, Gyeong Min Jeong1, i-Hyeon Kwon1, Min Chan Kim1, 〇Jin-Seong Park1 (1.Hanyang University)

[16a-K202-6]Area-Selective Depositionを併用した超高選択Atomic Layer Etching技術

〇深沢 正永1 (1.産総研 SFRC)