You can search for presentations in this event.
Search
You can search for presentations in this event.
SearchSearch Results(707)
F. Andrieu1, C. Fenouillet-Béranger1, O. Weber1, S. Baudot1, C. Buj1, J. P. Noel1, O. Thomas1, O. Rozeau1, P. Perreau1, L. Tosti1, L. Brévard1, O. Faynot1(1.CEA-LETI/MINATEC)
C. Lee1, A. T. Putra1, K. Shimizu1, T. Hiramoto1,2(1.Univ. of Tokyo(Japan), 2.MIRAI-Selete(Japan))
C. Buj-Dufournet1, F. Andrieu1, O. Faynot1, O. Weber1, F. Allain1, L. Tosti1, C. Fenouillet-Béranger1, D. Lafond1, S. Deleonibus1(1.CEA-LETI/MINATEC)
S. Dissanayake1, S. Sugahara2, M. Takenaka1, S. Takagi1(1.Univ. of Tokyo(Japan), 2.Tokyo Tech(Japan))
K. L. Yeh1, C. Y. Ku1, W. L. Hong1, J. C. Guo1(1.National Chiao Tung Univ.)
S. M. Koh1, C. M. Ng2, Z. Y. Zhao3, H. Maynard3, N. Variam3, T. Henry3, Y. Erokhin3, G. Samudra1, Y. C. Yeo1(1.National Univ. of Singapore(Singapore), 2.Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.(Singapore), 3.Varian Semiconductor(USA))
N. Venkatagirish1, A. Tura1, R. Jhaveri1, H. Y. Chang1, J. Woo1(1.UCLA)
T. Tanaka1, H. Suzuki1, O. Yamasaki1(1.Fujitsu Microelectronics Ltd.)
Y. Nishida1,2, K. Eikyu1, A. Shimizu1, T. Yamashita1, H. Oda1, Y. Inoue1, K. Shibahara2(1.Renesas Tech. Corp.(Japan), 2.Hiroshima Univ.(Japan))
N. Mori1, H. Minari1(1.Osaka Univ.)
T. Fujisawa1, K. Abe1, S. Watabe1, N. Miyamoto1, A. Teramoto1, S. Sugawa1, T. Ohmi1(1.Tohoku Univ.)
K. Abe1, A. Teramoto1, S. Watabe1, T. Fujisawa1, S. Sugawa1, Y. Kamata2, K. Shibusawa2, T. Ohmi1(1.Tohoku Univ.(Japan), 2.OKI Semiconductor Miyagi Co., Ltd.(Japan))
L. Zhang1, R. Wang1, J. Zhuge1, R. Huang1, T. Yu1, P. Kirsch2, H. H. Tseng2, Y. Wang1(1.Peking Univ.(China), 2.SEMATECH(USA))
N. Planes1, O. Menut1, C. Laviron2, J. Bonnouvrier1, F. Wacquant1, R. Ranica1, C. Boccaccio1, O. Callen1, S. Del-Medico1, D. Noblet1, M. Haond1, F. Boeuf1(1.STMicroelectronics(France), 2.CEA-LETI(France))
H. Itokawa1, K. Miyano1, Y. Oshima1, I. Mizushima1, K. Suguro1(1.Toshiba Corp.)
H. Oomae1, H. Itokawa2, I. Mizushima2, S. Nakamura3, N. Uchitomi1(1.Nagaoka Univ. of Tech.(Japan), 2.Toshiba Corp.(Japan), 3.Aoyama Gakuin Univ.(Japan))
Q. Zhou1, S. M. Koh1, Z. Y. Zhao2, T. Toh2, H. Maynard2, N. Variam2, T. Henry2, Y. Erokhin2, Y. C. Yeo1(1.National Univ. of Singapore(Singapore), 2.Varian Semiconductor(USA))
H. Itokawa1, Y. Agatsuma2, N. Aoki1, N. Uchitomi2, I. Mizushima1(1.Toshiba Corp.(Japan), 2.Nagaoka Univ. of Tech.(Japan))
M. Fukuda1, Y. Shimamune1, M. Nakamura1, K. Tanahashi1, T. Miyashita1, M. Nishikawa1, N. Tamura1, T. Mori1, Y. Nara1, M. Kase1(1.Fujitsu Microelectronics Ltd.)
D. Leonelli1,2, A. Vandooren1, R. Rooyackers1, A. S. Verhulst1,2, S. De Gendt1,2, M. M. Heyns1,2, G. Groeseneken1,2(1.IMEC(Belgium), 2.Katholieke Univ. Leuven(Belgium))
T. Mizuno1,2, N. Mizoguchi1, K. Tanimoto1, T. Yamauchi1, T. Tezuka3, T. Sameshima4(1.Kanagawa Univ.(Japan), 2.MIRAI-NIRC(Japan), 3.MIRAI-Toshiba(Japan), 4.Tokyo Univ. of Agri. And Tech.(Japan))
Y. Nishi1, A. Kinoshita1(1.Toshiba Corp.)
B. Liu1, M. C. Yang2, Y. C. Yeo1(1.National Univ. of Singapore(Singapore), 2.Data Storage Inst.(Singapore))
S. Adachi1, T. Asano1(1.Kyushu Univ.)
D. Hori1, M. Miyake1, N. Sadachika1, H. J. Mattausch1, M. Miura-Mattausch1, T. Iizuka2, T. Hoshida2, K. Matsuzawa2, Y. Sahara2, T. Tsukada2(1.Hiroshima Univ.(Japan), 2.STARC(Japan))
S. J. Pennycook1, K. van Benthem1, A. G. Marinopoulos1, S. T. Pantelides1(1.Oak Ridge National Lab.)
S. Kudo1, N. Nakanishi1, Y. Hirose1, K. Sato1, T. Yamashita1, H. Oda1, K. Kashihara1, N. Murata1, T. Katayama1, K. Asayama1, J. Komori1, E. Murakami1(1.Renesas Tech. Corp.)
L. Q. Zhu1, K. Kita1, T. Nishimura1, K. Nagashio1, S. K. Wang1, A. Toriumi1(1.Univ. of Tokyo)
N. Miyata1,2, Y. Abe2, T. Yasuda1(1.AIST(Japan), 2.Musashi Inst. Of Tech.(Japan))
T. Mori1, A. Ohta1, H. Murakami1, S. Higashi1, S. Miyazaki1(1.Hiroshima Univ.)
N. Takahashi1, T. Yamasaki1, C. Kaneta1(1.Fujitsu Labs. Ltd.)
S. J. Whang1, M. S. Joo1, B. M. Seo1, K. E. Chang1, W. K. Kim1, T. W. Jung1, G. H. Kim1, J. Y. Lim1, K. Y. Kim1, K. Hong1, S. K. Park1(1.Hynix Semiconductor Inc.)
J. D. Chen1, J. J. Yang1, R. Wise2, P. Steinmann2, C. Zhu1, Y. C. Yeo1(1.National Univ. of Singapore(Singapore), 2.Texas Instruments Inc.(USA))
Y. Morita1, S. Migita1, N. Taoka1, W. Mizubayashi1, H. Ota1(1.MIRAI-AIST)
S. Shimamoto1, H. Kawashima2, T. Kikuchi1, Y. Yamaguchi2, A. Hiraiwa2(1.Hitachi, Ltd.(Japan), 2.Renesas Tech. Corp.(Japan))
T. Tada1, V. Poborchii1, T. Matsuki2, J. Yugami2, T. Kanayama1(1.MIRAI-AIST(Japan), 2.Selete(Japan))
Y. Yamada1, T. Aoyama2, H. Chino3, K. Hiraka3, J. Ishii1, S. Kadoya3, S. Kato2, H. Kiyama4, H. Kondo4, T. Kuroiwa4, K. Matsuo4, T. Owada5, T. Shimizu3, T. Yokomori5(1.AIST(Japan), 2.Semiconductor Leading Edge Tech. Inc.(Japan), 3.Chino Corp.(Japan), 4.Dainippon Screen Manufac. Co. Ltd.(Japan), 5.Ushio Inc.(Japan))
K. Ikeda1, J. Yugami1, T. Aoyama1, Y. Ohji1(1.Selete)
M. Kadoshima1, S. Sakashita1, T. Kawahara1, M. Inoue1, M. Mizutani1, Y. Nishida1, A. Shimizu1, Y. Takeshima1, S. Yamanari1, M. Anma1, R. Mitsuhashi2, Y. Satoh2, S. Matsuyama2, A. Tsudumitani2, Y. Okuno2, H. Umeda1, J. Yugami1, H. Yoshimura1, H. Miyatake1(1.Renesas Tech. Corp.(Japan), 2.Panasonic Corp.(Japan))
T. Morooka1, T. Matsuki1, T. Nabatame1, J. Yugami1, K. Ikeda1, Y. Ohji1(1.Selete)
S. Inumiya1, A. Kaneko1, K. Nagatomo1, M. Goto1, K. Tatsumura1, I. Hirano1, S. Kawanaka1, A. Azuma1, K. Nakajima1, T. Aoyama1, K. Eguchi1, A. Nishiyama1, Y. Toyoshima1, Y. Tsunashima1(1.Toshiba Corp.)
M. Takei1, D. Kosemura1, K. Nagata1, H. Akamatsu1, S. Mayuzumi1,2, S. Yamakawa2, H. Wakabayashi2, A. Ogura1(1.Meiji Univ.(Japan), 2.Sony Corp.(Japan))
H. Shinohara1, A. Katakami1, T. Watanabe1, M. Hayashi1, S. Kamiyama1, Y. Sugita1, T. Matsuki1, T. Eimori1, J. Yugami1, K. Ikeda1, Y. Ohji1(1.Selete)
T. Shimizu1, Y. Arayashiki1, S. Inumiya1, K. Nakajima1, T. Aoyama1, K. Eguchi1(1.Toshiba Corp.)
T. Matsuki1, J. Yugami1, T. Eimori1, Y. Nara1, K. Ikeda1(1.Selete)
N. Loubet1, P. Khare1, Q. Liu1, M. Takayanagi2, R. Sampson1(1.STMicroelectronics(USA), 2.Toshiba America Electronic Components(USA))
R. Kuroda1, T. Isogai1, H. Tanaka1, Y. Nakao1, A. Teramoto1, S. Sugawa1, T. Ohmi1(1.Tohoku Univ.)
H. Ishida1, F. Aiso1, M. Mizukami1, K. Nishihara1, T. Iguchi1, D. Ichinose1, A. Fukumoto1, T. Suzuki1, F. Arai1, I. Mizushima1(1.Toshiba Corp.)
K. Toko1, T. Tanaka1, T. Sadoh1, M. Miyao1(1.Kyushu Univ.)
C. H. Lee1, T. Nishimura1,2, T. Tabata1,2, K. Nagashio1,2, K. Kita1,2, A. Toriumi1,2(1.Univ. of Tokyo(Japan), 2.CREST-JST(Japan))
